光刻機/封裝產(chǎn)線(xiàn)雙場(chǎng)景Chiller適配薄膜沉積等核心設備

　　在光刻機與封裝產(chǎn)線(xiàn)雙場(chǎng)景下Chiller（溫控設備）需同時(shí)滿(mǎn)足納米級光刻工藝溫控和封裝可靠性測試熱管理的嚴苛需求，尤其在薄膜沉積等核心設備中，其技術(shù)適配性體現在以下維度：

　　一、雙場(chǎng)景技術(shù)適配Chiller

　　1、光刻機場(chǎng)景：準確溫控

　　激光光源冷卻：采用雙循環(huán)冷卻架構，主循環(huán)維持20℃基準溫度（波動(dòng)±0.1℃），次級循環(huán)針對EUV光源提供-10℃低溫，影響光源功率漂移。

　　工件臺熱穩定性：通過(guò)鈦合金微通道換熱器直接冷卻平臺，結合溫度反饋算法，實(shí)現晶圓表面溫度梯度。

　　薄膜沉積工藝：在ALD/CVD過(guò)程中，Chiller需準確控制反應腔體溫度，確保薄膜均勻性。

　　2、封裝產(chǎn)線(xiàn)場(chǎng)景：寬溫區快速切換

　　高溫老化測試：模擬芯片在150℃環(huán)境下的長(cháng)期穩定性，Chiller需支持10℃/min快速升溫，并結合熱回收技術(shù)降低能耗。

　　低溫存儲驗證：在-40℃環(huán)境下驗證封裝材料抗脆裂性，Chiller采用雙壓縮機冗余設計，確保低溫段控溫精度±0.2℃。

　　溫度沖擊試驗：在-65℃~150℃范圍內實(shí)現30秒溫變，篩選潛在工藝缺陷。

　　二、薄膜沉積設備溫控方案

　　1、熱管理挑戰

　　化學(xué)氣相沉積（CVD）：反應腔體需維持高溫（如200℃），但基座需冷卻至50℃以防止熱應力開(kāi)裂。Chiller采用分區控溫設計，高溫區用導熱油循環(huán)加熱，低溫區由冷水機組提供15℃冷卻水，溫差梯度控制精度達±1℃。

　　物理氣相沉積（PVD）：濺射靶材溫度需穩定在200℃±1℃，Chiller通過(guò)脈沖寬度調制（PWM）控制冷卻液流速，避免靶材過(guò)熱變形。

　　2、國內設備商創(chuàng )新方案

　　冠亞恒溫Chiller：推出多通道獨立控溫系統，支持光刻機與封裝產(chǎn)線(xiàn)并聯(lián)運行，通過(guò)PID+模糊控制算法，實(shí)現光刻環(huán)節±0.1℃、封裝環(huán)節±0.1℃的差異化精度需求。

冠亞恒溫采用定制Chiller系統，通過(guò)多場(chǎng)景算法適配、分區控溫架構、冗余安全設計，系統性解決光刻機與封裝產(chǎn)線(xiàn)的溫控需求，尤其針對薄膜沉積等核心設備提供定制化解決方案，助力國產(chǎn)半導體產(chǎn)線(xiàn)發(fā)展。